eVoS ME 非對（duì）稱偏置波形（xíng）發生器_北京久久精品国产亚洲AV无码偷窥科技有限公司

功率輸（shū）出係統

Advanced Energy 經過（guò）現場驗證的 Precision Power™ 解決方案可在各種等離子電源應用中提供同類產品最佳的控製和穩（wěn）定性。我們全麵的功率輸出技術 40 多（duō）年來不斷引領工藝（yì）創新，並將與我們（men）的合作夥伴一起繼續推（tuī）動技術向前發展。

功率輸出係統

用於直接控製襯（chèn）底電壓和離子能量的非對稱偏置波形發生器/功（gōng）率輸出係統

eVoS ME 非對稱偏置波形發生器

eVoS™ME非對稱偏置波形發（fā）生器旨在實現對基於等離子體（tǐ）的蝕刻和沉積（jī）工藝中的晶圓-表麵電壓和由此產（chǎn）生的（de）離子（zǐ）能量分布（IED）的直接控製。 eVoS係統包（bāo）括敏捷高壓電源與（yǔ）創（chuàng）新（xīn）的非對稱（chēng）波（bō）形產生技術相結合，以建立和控製晶圓表麵電位。 eVoS的非對稱輸出消除（chú）了正弦射頻偏置應用中固有（yǒu）的晶圓偏置的限製和限（xiàn）製。快速數字（zì）計量和新穎的控製算法（fǎ）使生產接近單能量（liàng）的IED成為可能。

特點規格技術文（wén）檔

特點（diǎn）

縮小芯片尺寸和高縱橫比結構需要對離子能量（liàng）進行嚴格控製。

通過eVoS™平台，AE引入了偏置技術的範式轉變。

通過最大限度（dù）地提高定（dìng）製離子能量的能力，eVoS能夠（gòu）在非常小的尺寸上精確地（dì）控製蝕刻和沉積幾何形狀。

晶片表麵電壓和離子能量分布（bù）（IED）的直接控製使工藝工程（chéng）師能夠針對特定的工藝結果優化（huà）偏置性能，確保敏（mǐn）感特征的形成。

此外，與替代技術相比，快速數字計量和新穎的控製算法能（néng）夠生產更窄的IED。

規格

技術文檔

eVoS ME Data Sheet